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FDS6975 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 30V 6 A 900mW Montaje en superficie 8-SOIC
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1 1.50000 $1.50
10 1.34000 $13.40
100 1.06630 $106.63
500 0.83462 $417.31
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDS6975CT-ND
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Cantidad disponible 12,814
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDS6975

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Descripción MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 30V 6 A 900mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos FDS6975
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018
Modelos EDA/CAD FDS6975 by SnapEDA
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC a 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1540pF a 15V
Potencia máxima 900mW
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDS6975CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12,814 - Inmediata
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01:32:06 4/19/2019