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FDS6911 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 7.5 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.72000 $1.72
10 1.52300 $15.23
100 1.20720 $120.72
500 0.94010 $470.05
1,000 0.74589 $745.89
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDS6911CT-ND
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Cantidad disponible 23,300
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDS6911

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Descripción MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 7.5 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos FDS6911
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN FDSYYY 18/Jun/2018
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.5 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13 mOhm a 7.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1130 pF a 15 V
Potencia máxima 900 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDS6911CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 23,300 - Inmediata
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12:13:33 11/19/2018