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FDS6910 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 7.5 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.46000 $1.46
10 1.29200 $12.92
100 1.02440 $102.44
500 0.79858 $399.29
1,000 0.63439 $634.39
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDS6910CT-ND
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Cantidad disponible 13,323
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDS6910

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 34 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 7.5 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos FDS6910
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN FDSYYY 18/Jun/2018
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.5 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13 mOhm a 7.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1130 pF a 15 V
Potencia máxima 900 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDS6910CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13,323 - Inmediata
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01:58:58 11/20/2018