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FDS6680A Canal N Montaje en superficie 30V 12.5 A (Ta) 2.5 W (Ta) 8-SOIC
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1 0.82000 $0.82
10 0.71700 $7.17
100 0.55280 $55.28
500 0.40946 $204.73
1,000 0.32757 $327.57
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDS6680ACT-ND
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Cantidad disponible 14,243
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDS6680A

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Descripción MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 12.5 A (Ta) 2.5 W (Ta) 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos FDS6680A
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN FDSYYY 18/Jun/2018
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.5 mOhm a 12.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1620pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDS6680ACT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 14,243 - Inmediata
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10:07:58 10/22/2018