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FDS6670A Canal N Montaje en superficie 30V 13 A (Ta) 2.5 W (Ta) 8-SO
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDS6670ACT-ND
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Cantidad disponible 20,403
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDS6670A

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Descripción MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 13 A (Ta) 2.5 W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos FDS6670A
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN FDSYYY 18/Jun/2018
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 mOhm a 13 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2220pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDS6670ACT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.08000 $1.08
10 0.94100 $9.41
100 0.72630 $72.63
500 0.53800 $269.00
1,000 0.43039 $430.39

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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18:28:41 9/19/2018