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FDS4897C MOSFET - Arreglos Canal N y P 40V 6.2 A, 4.4 A 900mW Montaje en superficie 8-SOIC
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2,500 0.30600 $765.00
5,000 0.27540 $1,377.00
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  • Digi-Reel®  : FDS4897CDKR-ND
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  • Cantidad disponible: 35,836 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

FDS4897C

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FDS4897CTR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FDS4897C
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Descripción MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 40V 6.2 A, 4.4 A 900mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos FDS4897C
Información de RoHS Material Declaration FDS4897C
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab 02/Aug/2020
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Embalaje Cinta y rollo (TR) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6.2 A, 4.4 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 29mOhm a 6.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 760pF a 20V
Potencia - Máx. 900mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Número de pieza base FDS48
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Texas Instruments

$5.72000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 2,500
Otros nombres FDS4897CTR