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FDS3890 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 80 V 4.7 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC
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1 1.86000 $1.86
10 1.65000 $16.50
100 1.30440 $130.44
500 1.01156 $505.78
1,000 0.79860 $798.60
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDS3890CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDS3890

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Descripción MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 80 V 4.7 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos FDS3890
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.7 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 44 mOhm a 4.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1180 pF a 40 V
Potencia máxima 900 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDS3890CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDS3890TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.72365
  • Digi-Reel® ? : FDS3890DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

05:58:43 11/14/2018