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FDPF8N50NZU Canal N Orificio pasante 500V 6.5 A (Tc) 40 W (Tc) TO-220F
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.91000 $1.91
10 1.72500 $17.25
100 1.38600 $138.60
500 1.07800 $539.00
1,000 0.89320 $893.20

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDPF8N50NZU-ND
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Cantidad disponible 2,199
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Stock en fábrica ?: 3,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDPF8N50NZU

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Descripción MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 6.5 A (Tc) 40 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FDP(F)8N50NZU
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET-II™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 735pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

02:18:06 12/19/2018