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FDPF5N50T Canal N Orificio pasante 500V 5 A (Tc) 28 W (Tc) TO-220F
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1 1.73000 $1.73
10 1.53600 $15.36
100 1.21410 $121.41
500 0.94154 $470.77
1,000 0.74333 $743.33

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDPF5N50T-ND
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Cantidad disponible 1,052
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Stock en fábrica ?: 2,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDPF5N50T

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Descripción MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 5 A (Tc) 28 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FDP5N50, FDPF5N50
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4 Ohm a 2.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 640pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 28 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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