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FDPF51N25 Canal N Orificio pasante 250V 51 A (Tc) 38W (Tc) TO-220F
Precio y compra
963 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.27000 $2.27
10 2.04000 $20.40
25 1.92480 $48.12
100 1.50130 $150.13
250 1.46280 $365.70
500 1.27034 $635.17
1,000 1.07786 $1,077.86
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FDPF51N25

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FDPF51N25
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Descripción MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 51 A (Tc) 38W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FDP51N25, FDPF51N25
Información de RoHS Material Declaration FDPF51N25
Diseño/especificación de PCN Description Chg 28/Mar/2016
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly Add 20/Dec/2018
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 51 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60mOhm a 25.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3410pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 38W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar 1,000