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FDPF3860T Canal N Orificio pasante 100V 20 A (Tc) 33.8 W (Tc) TO-220F
Precio y compra
 

Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.24000 $1.24
10 1.09600 $10.96
100 0.87410 $87.41
500 0.68620 $343.10
1,000 0.54959 $549.59
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDPF3860T-ND
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Cantidad disponible 1,688
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDPF3860T

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Descripción MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 20 A (Tc) 33.8 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FDPF3860T
Diseño/especificación de PCN SOA curve 01/Jul/2013
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 38.2 mOhm a 5.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 33.8 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

08:10:12 12/18/2018