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FDPF33N25TRDTU Canal N Orificio pasante 250V 37 W (Tc) TO-220F (LG-Formed)
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.28000 $2.28
10 2.06200 $20.62
100 1.65680 $165.68
800 1.16341 $930.73
1,600 1.06769 $1,708.31
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDPF33N25TRDTU-ND
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Cantidad disponible 771
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Stock en fábrica ?: 8,800
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDPF33N25TRDTU

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 250V TO220F
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 37 W (Tc) TO-220F (LG-Formed)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDPF33N25T
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 94 mOhm a 16.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2135pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 37 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F (LG-Formed)
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores formados, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • Precio unitario $2.43000
  • FDPF33N25T-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 800

19:38:20 10/17/2018