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FDPF33N25T Canal N Orificio pasante 250V 33 A (Tc) 37 W (Tc) TO-220F
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.43000 $2.43
10 2.19800 $21.98
100 1.76590 $176.59
500 1.37348 $686.74
1,000 1.13803 $1,138.03
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDPF33N25T-ND
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Cantidad disponible 3,292
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDPF33N25T

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Descripción MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 33 A (Tc) 37 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FDPF33N25T
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 94 mOhm a 16.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2135pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 37 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

01:28:50 11/19/2018