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FDPC8012S Arreglo de MOSFET 2 canal N (dual), asimétrico 25V 13A, 26A 800mW, 900mW Montaje en superficie Powerclip-33
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10 2.57400 $25.74
100 1.94670 $194.67
500 1.73040 $865.20
1,000 1.51410 $1,514.10

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  • Cinta y rollo (TR)  : FDPC8012STR-ND
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  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.41750
  • Digi-Reel®  : FDPC8012SDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13,971 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

FDPC8012S

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FDPC8012SCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FDPC8012S
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Descripción MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET 2 canal N (dual), asimétrico 25V 13A, 26A 800mW, 900mW Montaje en superficie Powerclip-33

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Documentos y medios
Hojas de datos FDPC8012S
Información de RoHS Material Declaration FDPC8012S
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN PT9 Dev Mask Chg 24/Oct/2019
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET 2 canal N (dual), asimétrico
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13A, 26A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7mOhm a 12A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1075pF a 13V
Potencia máxima 800mW, 900mW
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor Powerclip-33
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres FDPC8012SCT