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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP65N06-ND
Cantidad disponible 1,580
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDP65N06

Descripción MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 65 A (Tc) 135 W (Tc) TO-220-3

Documentos y medios
Hojas de datos FDP65N06
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Description Chg 15/Feb/2016
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16 mOhm a 32.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2170pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 135 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

08:41:02 6/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.21000 $2.21
10 2.00000 $20.00
100 1.60680 $160.68
500 1.24976 $624.88
1,000 1.03552 $1,035.52

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