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FDP55N06 Canal N Orificio pasante 60V 55 A (Tc) 114 W (Tc) TO-220-3
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1 1.87000 $1.87
10 1.65500 $16.55
100 1.30790 $130.79
500 1.01428 $507.14
1,000 0.80075 $800.75
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP55N06-ND
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Stock en fábrica ?: 8,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDP55N06

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Descripción MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 55 A (Tc) 114 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FDP55N06, FDPF55N06
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Description Chg 15/Feb/2016
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 55 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 22 mOhm a 27.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 37nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1510pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 114 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

03:23:19 10/18/2018