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FDP51N25 Canal N Orificio pasante 250V 51 A (Tc) 320 W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.31000 $3.31
10 2.99600 $29.96
100 2.42450 $242.45
500 1.90458 $952.29
1,000 1.59266 $1,592.66
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP51N25-ND
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Cantidad disponible 755
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDP51N25

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Descripción MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 51 A (Tc) 320 W (Tc) TO-220-3

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 51 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 25.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3410pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 320 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

12:39:39 11/13/2018