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FDP22N50N Canal N Orificio pasante 500V 22 A (Tc) 312.5 W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.41000 $4.41
10 3.94800 $39.48
100 3.25500 $325.50
500 2.65440 $1,327.20
1,000 2.25400 $2,254.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP22N50N-ND
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Cantidad disponible 2,636
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDP22N50N

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Descripción MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 22 A (Tc) 312.5 W (Tc) TO-220-3

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 220 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 312.5 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

13:02:19 11/16/2018