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FDP20N50 Canal N Orificio pasante 500V 20 A (Tc) 250 W (Tc) TO-220AB
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10 2.91900 $29.19
100 2.34530 $234.53
500 1.82414 $912.07
1,000 1.51142 $1,511.42

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP20N50-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDP20N50

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Descripción MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 20 A (Tc) 250 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos FDP20N50, FDPF20N50
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 230 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 59.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3120pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

07:50:37 11/17/2018