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FDP19N40 Canal N Orificio pasante 400V 19 A (Tc) 215 W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.20000 $3.20
10 2.89200 $28.92
100 2.32380 $232.38
500 1.80738 $903.69
1,000 1.49755 $1,497.55
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP19N40-ND
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Cantidad disponible 980
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDP19N40

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Descripción MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 400V 19 A (Tc) 215 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FDP19N40
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 240 mOhm a 9.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2115pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 215 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

08:04:46 10/21/2018