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FDP150N10A-F102 Canal N Orificio pasante 100V 50 A (Tc) 91 W (Tc) TO-220-3
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.30000 $2.30
10 2.07300 $20.73
100 1.66620 $166.62
800 1.17003 $936.02
1,600 1.07376 $1,718.01
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP150N10A-F102-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDP150N10A-F102

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Descripción MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
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Plazo estándar del fabricante 40 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 50 A (Tc) 91 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FDP150N10A_F102
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Número de pieza de PCN Mult Device Part Number Chg 30/May/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1440pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 91 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • Precio unitario $2.50000
  • FDP150N10-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 800
Otros nombres FDP150N10A_F102
FDP150N10A_F102-ND

21:25:57 10/21/2018