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FDP100N10 Canal N Orificio pasante 100V 75 A (Tc) 208 W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.86000 $2.86
10 2.58700 $25.87
100 2.07900 $207.90
800 1.45993 $1,167.94
1,600 1.33980 $2,143.68
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP100N10-ND
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Cantidad disponible 799
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDP100N10

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Descripción MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 75 A (Tc) 208 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FDP100N10
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN SOA curve 01/Jul/2013
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 208 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 800

04:40:57 10/15/2018