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FDP032N08-F102 Canal N Orificio pasante 75V 120 A (Tc) 375 W (Tc) TO-220
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP032N08-F102-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDP032N08-F102

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
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Plazo estándar del fabricante 25 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 75V 120 A (Tc) 375 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos FDP032N08
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.2 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 220nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15160pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres FDP032N08_F102
FDP032N08_F102-ND

10:47:23 11/21/2018