USD
Favorito

FDN306P Canal P Montaje en superficie 12V 2.6 A (Ta) 500mW (Ta) SuperSOT-3
Precio y compra
90,164 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.45000 $0.45
10 0.36800 $3.68
25 0.33680 $8.42
100 0.21140 $21.14
500 0.19576 $97.88
1,000 0.13311 $133.11

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : FDN306PTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 90,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.12763
  • Digi-Reel®  : FDN306PDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 90,164 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
Número de pieza de Digi-Key FDN306PCT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante FDN306P
Copiar  
Descripción MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 12V 2.6 A (Ta) 500mW (Ta) SuperSOT-3

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos FDN306P
Diseño/especificación de PCN Wire Bonding 07/Nov/2008
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Número de pieza de PCN Orderable Part Number Update 23/Nov/2016
Información de RoHS Material Declaration FDN306P
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly/Test Add 8/Jul/2019
Modelos EDA/CAD FDN306P by SnapEDA
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 40mOhm a 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1138pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SuperSOT-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base FDN306
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

LTC4412ES6#TRMPBF

IC OR CTRLR SRC SELECT TSOT23-6

Analog Devices Inc.

$3.44000 Detalles

FDV303N

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

ON Semiconductor

$0.36000 Detalles

FDN327N

MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3

ON Semiconductor

$0.36000 Detalles

LTC4412ES6#TRPBF

IC OR CTRLR SRC SELECT TSOT23-6

Analog Devices Inc.

$3.38000 Detalles

FDN339AN

MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

ON Semiconductor

$0.40000 Detalles

SN65220DBVR

IC SINGLE USB PORT TVS SOT-23-6

Texas Instruments

$0.85000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres FDN306PCT
FDN306P_F095CT
FDN306P_F095CT-ND