Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMS8888CT-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMS8888

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Descripción MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-PQFN
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 13.5 A (Ta), 21 A (Tc) 2.5 W (Ta), 42 W (Tc) 8-PQFN (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMS8888
Producto destacado Cloud Systems Computing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13.5 A (Ta), 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.5 mOhm a 13.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1585pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 42 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMS8888CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDMS8888TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.24961

00:42:48 1/23/2019