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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMS86201CT-ND
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Cantidad disponible 11,176
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMS86201

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Descripción MOSFET N-CH 120V POWER56
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Plazo estándar del fabricante 34 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 120V 11.6 A (Ta), 35 A (Tc) 2.5 W (Ta), 104 W (Tc) 8-PQFN (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMS86201
Producto destacado Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
FDMSYYY 10/Jan/2018
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 120V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11.6 A (Ta), 35 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11.5 mOhm a 11.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 46nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2735pF @ 60V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 104 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMS86201CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,176 - Inmediata
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07:11:22 11/15/2018