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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMS8558SDCCT-ND
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Cantidad disponible 223
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMS8558SDC

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Descripción MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 38 A (Ta), 90 A (Tc) 2.5 W (Ta), 89 W (Tc) Dual Cool™56

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMS8558SDC
Producto destacado Cloud Systems Computing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
Mult Dev Wire Conversion 21/Nov/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®, SyncFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Ta), 90 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 mOhm a 33 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 81nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5118pF @ 13V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 89 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Dual Cool™56
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $9.33000
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMS8558SDCCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDMS8558SDCTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.75121

02:42:44 11/18/2018