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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMS7660ASCT-ND
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Cantidad disponible 8,110
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMS7660AS

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Descripción MOSFET N-CH 30V PWRSTAGE POWER56
Copiar   MOSFET N-CH 30V PWRSTAGE POWER56
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 26 A (Ta), 42 A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 8-PQFN (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMS7660AS
Producto destacado Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®, SyncFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Ta), 42 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.4mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 90nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6120pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMS7660ASCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDMS7660ASTR-ND
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  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8,110 - Inmediata
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11:36:19 4/18/2019