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FDMS6681Z Canal P Montaje en superficie 30V 21.1 A (Ta), 49 A (Tc) 2.5 W (Ta), 73 W (Tc) 8-PQFN (5x6)
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10 1.94600 $19.46
100 1.57290 $157.29
500 1.23292 $616.46
1,000 1.02897 $1,028.97
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMS6681ZCT-ND
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Cantidad disponible 49,943
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMS6681Z

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Descripción MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 21.1 A (Ta), 49 A (Tc) 2.5 W (Ta), 73 W (Tc) 8-PQFN (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMS6681Z
Producto destacado Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
Diseño/especificación de PCN Materials 14/Apr/2009
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21.1 A (Ta), 49 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.2 mOhm a 22.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 241nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10380pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 73 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMS6681ZCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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17:41:34 1/22/2019