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FDMS4D0N12C Canal N Montaje en superficie 120V 18.5 A (Ta), 114 A (Tc) 2.7 W (Ta), 106 W (Tc) 8-PQFN (5x6)
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Cantidad
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1 6.84000 $6.84
10 6.10800 $61.08
100 5.00830 $500.83
500 4.05552 $2,027.76
1,000 3.42032 $3,420.32

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMS4D0N12COSCT-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMS4D0N12C

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Descripción PTNG 120V N-FET PQFN56
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 120V 18.5 A (Ta), 114 A (Tc) 2.7 W (Ta), 106 W (Tc) 8-PQFN (5x6)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMS4D0N12C
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 120V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18.5 A (Ta), 114 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 67 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 370 A
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 82nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6460pF @ 60V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.7 W (Ta), 106 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo Sin plomo
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMS4D0N12COSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDMS4D0N12COSTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $3.15467
  • Digi-Reel® ? : FDMS4D0N12COSDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

09:01:09 10/17/2018