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FDMC86139P Canal P Montaje en superficie 100V 4.4 A (Ta), 15 A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) 8-MLP (3.3x3.3)
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100 1.30460 $130.46
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMC86139PCT-ND
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Cantidad disponible 21,729
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMC86139P

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Descripción MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 4.4 A (Ta), 15 A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) 8-MLP (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMC86139P
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.4 A (Ta), 15 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 67mOhm a 4.4A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1335pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMC86139PCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDMC86139PTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 21,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 21,729 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

03:20:03 4/23/2019