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FDMC8360L Canal N Montaje en superficie 40V 27 A (Ta), 80 A (Tc) 2.3 W (Ta), 54 W (Tc) Power33
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMC8360LCT-ND
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Cantidad disponible 4,346
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMC8360L

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Descripción MOSFET N-CH 40V 80A POWER33
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Plazo estándar del fabricante 23 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 27 A (Ta), 80 A (Tc) 2.3 W (Ta), 54 W (Tc) Power33

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMC8360L
Producto destacado FDMC8360L N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27 A (Ta), 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.1 mOhm a 27 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5795pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.3 W (Ta), 54 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Power33
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMC8360LCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDMC8360LTR-ND
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  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,346 - Inmediata
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10:20:22 11/13/2018