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FDMC8030 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 40V 12A 800mW Montaje en superficie 8-Power33 (3x3)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.88000 $0.88
10 0.79000 $7.90
25 0.75000 $18.75
100 0.56240 $56.24
250 0.55704 $139.26
500 0.47668 $238.34
1,000 0.38831 $388.31

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : FDMC8030TR-ND
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  • Precio unitario: $0.37180
  • Digi-Reel®  : FDMC8030DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 17,962 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

FDMC8030

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FDMC8030
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Descripción MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP
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Plazo estándar del fabricante 23 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 40V 12A 800mW Montaje en superficie 8-Power33 (3x3)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMC8030
Información de RoHS Material Declaration FDMC8030
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Modelos EDA/CAD FDMC8030 by SnapEDA
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1975pF a 20V
Potencia máxima 800mW
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor 8-Power33 (3x3)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres FDMC8030CT