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FDMC8015L Canal N Montaje en superficie 40V 7 A (Ta), 18 A (Tc) 2.3 W (Ta), 24 W (Tc) 8-MLP (3.3x3.3)
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Cantidad
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100 0.45890 $45.89
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMC8015LCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMC8015L

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Descripción MOSFET N-CH 40V 7A 8MLP
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Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 7 A (Ta), 18 A (Tc) 2.3 W (Ta), 24 W (Tc) 8-MLP (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMC8015L
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Ta), 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 26 mOhm a 7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 945pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.3 W (Ta), 24 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
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03:34:29 12/11/2018