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FDMB3800N Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 4.8 A 750 mW Montaje en superficie 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMB3800NCT-ND
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Cantidad disponible 14,352
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMB3800N

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 4.8 A 750 mW Montaje en superficie 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

Copiar   Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 4.8 A 750 mW Montaje en superficie 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Documentos y medios
Hojas de datos FDMB3800N
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.8 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 mOhm a 4.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.6 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 465 pF a 15 V
Potencia máxima 750 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMB3800NCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 14,352 - Inmediata
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02:21:20 12/19/2018