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FDMA910PZ Canal P Montaje en superficie 20V 9.4 A (Ta) 2.4 W (Ta) 6-MicroFET (2x2)
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10 0.93100 $9.31
100 0.73560 $73.56
500 0.57046 $285.23
1,000 0.45037 $450.37

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMA910PZCT-ND
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Cantidad disponible 29,888
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMA910PZ

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Descripción MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 9.4 A (Ta) 2.4 W (Ta) 6-MicroFET (2x2)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMA910PZ
Diseño/especificación de PCN Marking Content 19/Nov/2013
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 9.4 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2805pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.4 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-MicroFET (2x2)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-VDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMA910PZCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDMA910PZTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 24,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
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01:39:40 10/21/2018