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FDMA530PZ Canal P Montaje en superficie 30V 6.8 A (Ta) 2.4 W (Ta) 6-MicroFET (2x2)
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10 0.76500 $7.65
100 0.59040 $59.04
500 0.43734 $218.67
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMA530PZCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMA530PZ

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Descripción MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 6.8 A (Ta) 2.4 W (Ta) 6-MicroFET (2x2)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMA530PZ
Diseño/especificación de PCN Marking Content 19/Nov/2013
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 35 mOhm a 6.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1070pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.4 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-MicroFET (2x2)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-VDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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06:15:50 12/13/2018