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FDMA2002NZ Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 2.9 A 650 mW Montaje en superficie 6-MicroFET (2x2)
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10 0.63100 $6.31
100 0.48640 $48.64
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDMA2002NZCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDMA2002NZ

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
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Plazo estándar del fabricante 39 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 2.9 A 650 mW Montaje en superficie 6-MicroFET (2x2)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDMA2002NZ
Diseño/especificación de PCN Marking Content 19/Nov/2013
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly Add 12/Nov/2018
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Mult Devices 29/Aug/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.9 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 123 mOhm a 2.9 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 220 pF a 15 V
Potencia máxima 650 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-VDFN
Paquete del dispositivo del proveedor 6-MicroFET (2x2)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDMA2002NZCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 9,491 - Inmediata
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09:52:16 1/23/2019