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FDL100N50F Canal N Orificio pasante 500V 100 A (Tc) 2500 W (Tc) TO-264
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1 18.60000 $18.60
10 16.96200 $169.62
375 13.27987 $4,979.95
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDL100N50F-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDL100N50F

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Descripción MOSFET N-CH 500V 100A TO-264
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 100 A (Tc) 2500 W (Tc) TO-264

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Documentos y medios
Hojas de datos FDL100N50F
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 55 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 238nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2500 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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