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FDG6322C Arreglo de MOSFET Canal N y P 25V 220mA, 410mA 300mW Montaje en superficie SC-88 (SC-70-6)
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FDG6322C

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FDG6322C
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Descripción MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
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Plazo estándar del fabricante 7 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 25V 220mA, 410mA 300mW Montaje en superficie SC-88 (SC-70-6)

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 220mA, 410mA
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4Ohm a 220mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.4nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9.5pF a 10V
Potencia máxima 300mW
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SC-88 (SC-70-6)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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