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FDG332PZ Canal P Montaje en superficie 20V 2.6 A (Ta) 750mW (Ta) SC-88 (SC-70-6)
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FDG332PZ

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FDG332PZCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FDG332PZ
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Descripción MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 2.6 A (Ta) 750mW (Ta) SC-88 (SC-70-6)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDG332PZ
Información de RoHS Material Declaration FDG332PZ
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN FDGYYY 03/Dec/2019
Embalaje de PCN Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 95mOhm a 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 560pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-88 (SC-70-6)
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de pieza base FDG332
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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