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FDG313N Canal N Montaje en superficie 25V 950 mA (Ta) 750 mW (Ta) SC-70-6
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDG313NFSCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDG313N

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Descripción MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 950 mA (Ta) 750 mW (Ta) SC-70-6

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Documentos y medios
Hojas de datos FDG313N
Obsolescencia PCN/ EOL 1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Mold Compound 07/May/2008
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Site Add 24/Nov/2016
Embalaje de PCN Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 950 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.7 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 450 mOhm a 500 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.3nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 750 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-6
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDG313NFSCT

09:15:14 12/17/2018