FDFME3N311ZT Canal N Montaje en superficie 30V 1.8 A (Ta) 1.4 W (Ta) 6-MicroFET (1.6x1.6)
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDFME3N311ZTCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDFME3N311ZT

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Descripción MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 1.8 A (Ta) 1.4 W (Ta) 6-MicroFET (1.6x1.6)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDFME3N311ZT
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Devices EOL 126/Jul/2018
Diseño/especificación de PCN Marking Content 19/Nov/2013
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Mult Devices 29/Aug/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 299 mOhm a 1.6 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 75pF @ 15V
Característica de FET Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (máx.) 1.4 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-MicroFET (1.6x1.6)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-UFDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDFME3N311ZTCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDFME3N311ZTTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.25245

07:44:31 12/15/2018