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FDD4685 Canal P Montaje en superficie 40V 8.4 A (Ta), 32 A (Tc) 69W (Tc) D-PAK (TO-252AA)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.03000 $1.03
10 0.92200 $9.22
25 0.87560 $21.89
100 0.65670 $65.67
250 0.65040 $162.60
500 0.55660 $278.30
1,000 0.45342 $453.42
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : FDD4685TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 7,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.44716
  • Digi-Reel®  : FDD4685DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,163 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : FDD4685-F085TR-ND
  • Cantidad mínima: 0  Agotado 
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Llamar
  • Cinta cortada (CT)  : FDD4685-F085CT-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado 
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.00000
  • Digi-Reel®  : FDD4685-F085DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado 
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
Número de pieza de Digi-Key FDD4685CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FDD4685
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Descripción MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 8.4 A (Ta), 32 A (Tc) 69W (Tc) D-PAK (TO-252AA)

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Documentos y medios
Hojas de datos FDD4685
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Diseño/especificación de PCN Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
Información de RoHS Material Declaration FDD4685
Ensamble/origen de PCN Mult Dev 17/Apr/2020
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8.4 A (Ta), 32 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 27mOhm a 8.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2380pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-PAK (TO-252AA)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Número de pieza base FDD468
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres FDD4685CT