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FDD4685 Canal P Montaje en superficie 40V 8.4 A (Ta), 32 A (Tc) 69 W (Tc) D-PAK (TO-252AA)
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1 1.30000 $1.30
10 1.15800 $11.58
100 0.92050 $92.05
500 0.71906 $359.53
1,000 0.57259 $572.59
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDD4685CT-ND
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Cantidad disponible 5,277
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDD4685

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Descripción MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 8.4 A (Ta), 32 A (Tc) 69 W (Tc) D-PAK (TO-252AA)

Copiar   Canal P Montaje en superficie 40V 8.4 A (Ta), 32 A (Tc) 69 W (Tc) D-PAK (TO-252AA)
Documentos y medios
Hojas de datos FDD4685
Diseño/especificación de PCN Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.4 A (Ta), 32 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 27 mOhm a 8.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2380pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 69 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-PAK (TO-252AA)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Número de pieza base FDD4685
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDD4685CT
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18:58:01 12/14/2018