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FDC642P Canal P Montaje en superficie 20V 4 A (Ta) 1.6 W (Ta) SuperSOT™-6
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1 0.59000 $0.59
10 0.50000 $5.00
100 0.37520 $37.52
500 0.27518 $137.59
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDC642PCT-ND
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Cantidad disponible 481
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDC642P

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Descripción MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
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Plazo estándar del fabricante 42 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 4 A (Ta) 1.6 W (Ta) SuperSOT™-6

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 65 mOhm a 4 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 925pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.6 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDC642PCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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00:24:30 11/15/2018