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FDB047N10 Canal N Montaje en superficie 100V 120 A (Tc) 375 W (Tc) D²PAK
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDB047N10CT-ND
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Cantidad disponible 2,271
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDB047N10

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Descripción MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 120 A (Tc) 375 W (Tc) D²PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos FDB047N10
Diseño/especificación de PCN SOA curve 01/Jul/2013
Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN TO263 31/Aug/2016
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.7 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 210nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15265pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDB047N10CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 2,271 - Inmediata
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05:26:47 11/14/2018