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FDB031N08 Canal N Montaje en superficie 75V 120 A (Tc) 375 W (Tc) D²PAK
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDB031N08CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDB031N08

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Descripción MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 120 A (Tc) 375 W (Tc) D²PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos FDB031N08
Diseño/especificación de PCN SOA curve 01/Jul/2013
Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN TO263 31/Aug/2016
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.1 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 220nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15160pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDB031N08CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDB031N08TR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $3.07395
  • Digi-Reel® ? : FDB031N08DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

10:36:40 11/21/2018