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FDA69N25 Canal N Orificio pasante 250V 69 A (Tc) 480 W (Tc) TO-3PN
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1 4.25000 $4.25
10 3.79100 $37.91
450 2.80544 $1,262.45
900 2.27469 $2,047.22
1,350 2.12304 $2,866.11
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDA69N25-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDA69N25

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Descripción MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 69 A (Tc) 480 W (Tc) TO-3PN

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 69 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 41 mOhm a 34.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4640pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 480 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $3.59000
  • FDA59N25-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 450

00:19:28 11/15/2018