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FDA59N25 Canal N Orificio pasante 250V 59 A (Tc) 392 W (Tc) TO-3PN
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.59000 $3.59
10 3.21900 $32.19
450 2.41376 $1,086.19
900 1.98052 $1,782.47
1,350 1.85675 $2,506.61
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDA59N25-ND
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Cantidad disponible 729
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDA59N25

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Descripción MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 59 A (Tc) 392 W (Tc) TO-3PN

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 59 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 49 mOhm a 29.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 82nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4020pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 392 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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01:23:21 10/23/2018