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FDA38N30 Canal N Orificio pasante 300V 38 A (Tc) 312 W (Tc) TO-3PN
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1 3.10000 $3.10
10 2.76900 $27.69
450 2.04884 $921.98
900 1.66122 $1,495.10
1,350 1.55047 $2,093.14
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDA38N30-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDA38N30

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Descripción MOSFET N-CH 300V TO-3
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 300V 38 A (Tc) 312 W (Tc) TO-3PN

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 300V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 85 mOhm a 19 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 312 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $3.89000
  • FDA59N30-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 450

00:54:05 11/17/2018